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由深圳市人民政府、中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導體行業協會社會承辦的以“創芯強鏈，雙驅發展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續第二天多場行業論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產業最新的技術成果，聚集了眾多國內外專家學者、技術大咖和企業領袖，圍繞集成電路技術與產業應用創新、產業鏈生態與安全機制建設、國際局勢分析與協同發展、技術演進趨勢與熱點應用、資本整合與運作模式創新、芯片與整機產業聯動等方向，共同探討新形勢下集成電路產業發展的機遇。

深圳市先行示范區灣區專家、國 家集成電路設計深圳產業化基地首任主任 張克科

打造IP強價值鏈服務平臺 助力中國強芯之路

在大灣區的平臺中間，大灣區包括深圳和香港、澳門，以及廣東省的其他幾個城市，澳門大學異軍突起成立了模擬混合信號超大規模集成電路國家重點實驗室。香港科技大學、香港中文大學和香港也把集成電路作為他們一個重要的領域。大灣區更多的協調分工，與長三角、珠三角、京津冀都有不同的模式，我們希望這些不同模式的發展能夠得到很好的一個資源互補。最近發現國家在集中力量做EDA工具，也在大力投資新線程的相關工程，我們覺得有三個可能是盲點，第一是怎么樣變成專利池共享大家形成產業鏈的環環相扣的共享局面。第二是在這中間很多的設計企業最后他們的成果怎么來用很可能涉及到IP的復用。第三我們的人才在什么樣的環境下進行培養，這是今天這個分主題的主要內容。

西門子電子科技（上海）有 限公司 Siemens EDA資深技術顧問 陳桂華

西門子EDA功能安全解決方案助力車規SoC開發

現在自動駕駛已經達到了一定的層次，這是目前的汽車從傳統ECU往集中的單元通過以太網的總線連接，連接線以后的連接特別是新能源的汽車復雜度特別高，延時、功耗肯定需要不停地降低。這是我們看到的ADAS，看到Level4和Level5有很多的攝像頭和雷達，對于整個車企來說現在怎么能夠去滿足這種Level5里面芯片，特別是我們ISO26262里面開發的需求，這里面設計安全成為主要被解決的問題，也是我今天介紹的重點。

亞馬遜云科技 解決方案團隊高級經理陳水生

以全球視野分享基于云的芯片設計驗證、制造協作與創新應用

我們芯片設計的云上之旅從2014年開始，在奧斯汀，我們整個芯片設計的部門一成立都是全部在云上去完成，都是基于云原生的方式完成這些芯片設計。我們一直在加大美國團隊資源的投入，同時融入了以色列這個團隊完成了多點聯合的方式做芯片的設計。這里會涉及到他們延伸了很多的這種負載是在數據中心的，我們美國團隊是在云上做的，這時候我們也經歷了2017年混合云模式下的團隊協作，怎么去完整聯合芯片的設計。到2019年的時候，我們基本上已經在云端實現了完整的SoC的開發，完成了我們的7納米工藝的設計，我們全部在云端設計，我們的IDC的一些資源只保留了很少做模擬器的測試，這個其實是我們整個亞馬遜在云端怎么全流程做芯片設計的實踐。剛剛提到說我們做EDA或者是芯片設計的時候，會有底層的技術資源架構是怎樣的，這是目前很多的客戶所采取的一種方式，他們本地的數據中心可能有一些資源，也會跟第三方的一些比如IP等等有一些交互，那有一些負載在云上，所以形成這樣一個混合云的模式。在云端我們也可以有一個比較完整的技術鏈條支撐我們的技術設計，我們有比較完整的桌面，還有登陸服務機解決登陸這些權限的管理，還有IDC我們構建我們的證書的服務，還有構建我們的PC集群還有Job的管理等等這些作為我們整個EDA設計的集群計算機之外的支撐。

 深圳市銓興科技有限公司董事長 黃少娃

逆全球化背景下，中國半導體企業的機遇

存儲芯片首先看NAND Flash，目前美光宣布量產232層NAND的產品，三星、海力士今年轉型到176層，預計明年三星可以轉到236層，海力士將轉到238層，長江存儲的閃存制程目前在128層，預計也在明年可以達到232層。DRAM的領域，2019年合肥長鑫成功量產出19nm工藝的DDR4/LPDDR4，成為全球第四家DRAM產品采用20nm以下的工藝廠商，2022年合肥長信的17納米工藝的DDR5內存芯片在今年的第四季度量產。國內存儲的芯片，長江存儲3D  NAND閃存芯片規劃一期建成月10萬片的產能，二期是月20萬片的產能，兩期合計達到月產能30萬片。合肥長信共建三期三座12寸DRAM晶圓廠，打造集研發、制造、銷售為一體的IDM國產化生產基地，預計三期滿產后月產能能夠達到月30萬片。

 深圳市龍圖光罩股份有限公司副總經理 王棟

半導體掩模版與制作流程介紹

一個芯片的每一層由復雜的線路不斷地堆疊而成的。半導體有四個主要的工藝，一個是增層、光刻、攙雜和熱處理，光刻是四個工藝里面最重要的一個。但無法直接影響到半導體器件和集成電路的關鍵圖形尺寸，甚至對圖形的質量和電路的電性能有重要的影響。掩模版可以說是在微電子工業制造領域邊沿著橋梁作用，俗稱“工業底片”，掩模版不僅在IC晶圓方面，包括先進封裝，包括平板顯示，只要有光刻的工藝，有廣泛的應用，也是半導體的關鍵材料之一。這里我把“掩模版”三個字單獨說一下，因為業界有好多種說法，全國半導體設備和材料標準化委員會微光刻分技術委員會統一定義為“掩模版”，這個定義可能相對比較精確，掩模版上承載了芯片設計的半途信息的，所以用這三個字我個人覺得也是比較準確的。

華為中國政企半導體電子系統部 吳朝毓

構筑半導體數字化底座，助力行業高質量發展

我們要有一個強大的基礎設施信息化的平臺，可能我們對于半導體也好，我們對信息化也就是算力的要求非常高，其次是穩定性和快速。

華為云和數據庫能夠給到各位領導、各位廠商的這些能集中到我們基礎設施的層面。第二，我們業內主要的這些合作伙伴進行適配。第三是從技術的角度來講，華為能夠提供的是一套高可靠的數字化的支撐，能夠設置距離客戶產線非常近的數據中心，能夠給到大家對于整體的業務包括我們這些核心的業務軟件的完整性，包括我們高可靠性的支持。歡迎大家聯系華為，我們能夠提供一個整體的包括技術架構，包括我們整體的到產品落地，整體的一個解決方案。

芯華章科技驗證產品與解決方案總監 高世超

數智融合構建系統級驗證EDA解決方案

我作為一個在芯片驗證領域做了很多年的一個工程師的角度上來說，其實我們都有一個切身的體會，那就是在先進的設計中驗證的成本占了芯片設計總成本的70%以上。這是為什么我們在跟客戶交流的時候，我們經常審視一個團隊時，看一下設計驗證人員的配比就知道了，如果驗證和設計遠遠低過3：1的比例，我們可以預想到他們的工作里面驗證團隊會遇到非常大的挑戰，那就是怎么樣能夠在盡可能短的驗證工程周期里面，盡可能達到非常高的驗證質量和要求。從這個角度上來說，芯華章其實只成立了不到3年的一個國產的企業，我們不僅僅希望能夠給在座的各位傳統的芯片廠商能夠提供一個可靠、安全的國產替代方案，而且還希望能夠給大家提供一些具備創新性，能夠很好地來解決大家真正的驗證難點的一些解決方案。

牛芯半導體（深圳）有限公司 何鑫

國產接口IP助力中國“芯”互聯

接口IP是一個比較難的技術方向。第一個是技術演進比較快，因為隨著先進工藝的不斷推出，先進的工藝代表了更高極限頻率的速度，代表了我可以跑更高的速率，我的功耗還會降低。所以接口的帶寬對應過來的就是我的帶寬會提高。從將近十年以來，我們這個接口的帶寬速率從常用的10t目前到了112G，220G正在研發，這個技術的演進非常的快。調制的方式從原來的PCIE模式，2個變頻，現在是4個變頻。還有更大的芯片出現，有Chiplet的影響，他會有超短距或者是短距的芯片出現，這對IP來說提出了性能的挑戰。雖然我們是國標出的IP其實是一個泛類，IP的細節非常多，包括用在網絡里的以太網的協議，包括在計算機里常用的TCIE、接存儲器的DDR  Flash都是屬于這個泛微。

天芯互聯科技有限公司IC測試部經理 周德祥

晶圓測試探針卡關鍵技術分析

測試設備的競爭格局，我們現在主要還是被泰瑞達、愛德萬兩大巨頭壟斷。探針卡的競爭格局主要被美國和意大利、日韓一些國外的歐美的巨頭所壟斷，整體國內的探針卡的需求占全球的需求25%，國內的供應商的份額占比只有不到1.1%，這是很低的份額，所以說我們在探針卡的部分有一個巨大的部分，國內廠商有一個比較大的潛在的機會。我們針對晶圓測試關鍵技術探針卡作一個簡要的概述，探針卡可以分為三大結構，第一個是中低端為主的懸臂式探針卡，然后是垂直是的探針卡主要做一些大型的SoC的，另外是針對memory測試為主的MES探針卡。懸臂式的探針卡針對一些規模比較小的芯片，垂直式探針卡主要針對一些大規模的SoC的一些芯片為主，MES探針卡主要針對DDR或者是memory  Flash的memory的存儲芯片。

深圳市鼎華芯泰科技有限副總經理 沈正

應?于功率器件封裝的DMB陶瓷基板

功率器件封裝基板主要是DBC和AMB，被稱為“高功率器件之基石”，是功率芯片封裝行業的主材，主要是一方面起到保護、固定和支撐芯片，增強芯片的導熱性和散熱性能，保證芯片不受物理的損壞，也是封裝基板的上層與芯片的相連，以實現電氣和物理的連接，功率分配、信號分配以及溝通芯片內部與外部電路等功能。

    DBC陶瓷基板主要是以高絕緣性的氧化鋁或者是氮化鋁覆上銅組成新型的復合材料，經由高溫的環境在銅的金屬層提供氧化擴散，陶瓷產生結晶熔體，使銅與陶瓷基板粘合，形成復合的金屬基板，通過曝光和顯影通過蝕刻方式制備線路。DBC的優點是好的導電和導熱，氧化鋁能夠有效控制它的膨脹系數，跟氧化鋁的系數接近在9左右，因此DBC有很好的導熱性和絕緣性還有它的高性能性等優點，廣泛應用于IGBT、LD和CPV封裝，特別是由于銅箔較厚大概是100—600微米左右，它在IGBT和LD封裝有很好的優勢。不足點是他在高溫下的共晶反應，成本比較高，工藝難度比較高，而且它氧化鋁跟銅的反應過程當中也會產生氣孔，會降低陶瓷的沖擊力。AMB在800度左右的高溫下，由一些活性元素形成的銀銅焊料，跟金屬和陶瓷連接高溫反應產生的，是高溫應用場景的補充。

南方科技大學、深港微電子學院副研 究員、博士生導師 李毅達

用于下一代嵌入式存儲的新興存儲技術

嵌入式存儲是一個非獨立式的存儲器，芯片上面有一個處理核，也有一些緩存，它跟處理核共同在一個芯片上我們稱它為嵌入式存儲。它跟獨立式的存儲不太一樣，因為他們是不同的芯片上的集成。所以說，嵌入式存儲是一個集成在芯片上的一個存儲器，但是它有一個要求，因為它是跟其他的邏輯器件一起兼容的，所以它必須有兼容其他邏輯的特性。我們看到的超大規模的集成電路嵌入式存儲非常重要的，因為它離處理核非常靠近，我們數據搬運的延遲可以非常低，可以整體把我們的芯片乃至整個功能或者是應用的性能全部可以一起提升。嵌入式存儲目前來看科學家都認為有好幾種不同的選擇，先展現一些傳統的嵌入式存儲，傳統的嵌入式存儲比較直觀，SRAM和e—DRAM屬于易失性。隨著時代的變遷，隨著科學家研發越來越多新的材料，新的技術，目前來講科學界出現了好多新型的存儲器，包含了PCM，還有STT—MRAM磁性存儲器，RRAM和FERAM，在這一兩年我最后列的一個IGZO—based  DRAM一個基于氧化物半導體的較新的存儲架構。