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1、柵極-發射極尖峰電壓防護
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管，可以有效防止發生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2、 最佳的柵極電阻器
開關速度根據柵極電阻器值而有所不同。增大柵極電阻器值會降低MOSFET 的開關速度，并增大其開關損耗。減小柵極電阻器值會增大MOSFET 的開關速度，但由于線路雜散電感和其它因素的影響，可能在其漏極端子和源極端子之間產生了尖峰電壓。
因此，必須選擇最佳的柵極電阻器。有時會使用不同的柵極電阻器來開通和關斷 MOSFET。圖 2 顯示了使用不同的柵極電阻器進行開通和關斷的示例。
3、 柵極故障預防
MOSFET 的一大問題在于其漏柵電容會導致出現寄生開通（自開通）現象。關斷后，MOSFET 的源極和漏極之間形成陡峭的 dv／dt。產生的電流經由漏柵電容流到柵極。導致柵極電阻器中發生的電壓降提高柵極電壓。該電流計算如下：
iDG＝Cgd·dVDS／dt
圖 3 顯示了電流通路。
如果 dv／dt 的斜率極為陡峭，則根據柵源電容與柵漏電容的比率為 MOSFET 的柵極施加電壓。如果出現這種情況，可能會發生自開通。
如果在二極管反向恢復期間對處于關斷狀態的 MOSFET 施加快速變化的電壓，也可能發生自開通。有三種方法可以防止出現自開通現象：
在柵極和源極之間添加一個電容器
在柵極和源極之間插入的電容器會吸收因 dv／dt 產生的漏柵電流。該電路如圖 4 中所示。由于柵源電容器與 Cgs 在 MOSFET 內部并聯連接，因此柵極電荷會增加。如果柵極電壓固定，您可以通過改變柵極電阻器值來保持 MOSFET 的開關速度不變，但這樣會增大消耗的驅動功率。
米勒箝位電路
米勒箝位電路利用開關器件使 MOSFET 的柵極與源極之間的通路發生短路。通過在相關 MOSFET 的柵極和源極之間添加另一個 MOSFET 來實現短路。在圖 5 中，如果電壓降至預定義電壓以下，低于米勒電壓，則通過比較器提供邏輯高，開通柵極和源極之間的 MOSFET。而這樣又會使輸出 MOSFET 的柵源通路發生短路，并抑制通過反饋電容器Crss 和柵極電阻器的電流導致的柵極電壓升高。
可將關斷柵極電壓驅動到負值，避免其超過 Vth。但這種方法需要負電源
圖 3 柵極故障的機理
圖 4 在柵極和源極之間添加電容器
我們使用圖 6 中所示的電路模擬自開通現象。自開通由 iDG（dv／dt 電流）和柵極電阻造成，會導致發生誤開通。
在反向恢復模式中，如果 Q2 在電感負載電流通過 Q1 的二極管回流時開通，電感電流會流過 Q2，導致相關的二極管關斷。我們研究了對關斷狀態的 MOSFET 施加高 dv／dt 電壓時會發生的情況。為促使發生自開通現象，圖 6 中只改變了與 Q1 相關的柵極電阻器 R4。
圖 7 無自開通的波形(左圖) 和 自開通波形(右圖)
接下來，如圖 8 中所示，我們為圖 6 中所示電路在 MOSFET Q1 的柵極端子和源極端子之間添加了一個電容器。該電容器的用途是吸收柵電流（Cgd·dVDS／dt），以便降低柵極電阻器產生的柵極電壓，從而降低自開通電壓。
圖 9 顯示了改進后的波形。由于柵源電容器的添加改變了 MOSFET 開關時間，應一并調整其電容和柵極電阻。
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